Abstrait

Calibration of cryogenic Si diode for temperatures between 30-210 K

S.B.Ota


The variation of forward voltage with temperature of a cryogenic silicon diode of CRYO Industries of America Inc. Model No. DT-470-SD-13 is measured in the temperature range 30-210 K and for current values between 10 nA and 200 A. The characteristic is least squres fitten by a 1st order polynomial and the coefficients are given. The least squares fitting has high temperature root between 420 K and 625 K.


Avertissement: testCe résumé a été traduit à l'aide d'outils d'intelligence artificielle et n'a pas encore été examiné ni vérifié

Indexé dans

  • CASS
  • Google Scholar
  • Ouvrir la porte J
  • Infrastructure nationale du savoir de Chine (CNKI)
  • CiterFactor
  • Cosmos SI
  • Bibliothèque de revues électroniques
  • Répertoire d’indexation des revues de recherche (DRJI)
  • Laboratoires secrets des moteurs de recherche
  • ICMJE

Voir plus

Flyer